[发明专利]半导体装置

摘要

在依次层叠硅层1、化合物半导体层2、半导体层3的半导体衬底100上设置元件分离结构10a。元件分离结构10a由沟4、半导体膜5、绝缘膜6、7构成。沟4贯通半导体层3并延伸到化合物半导体层2的内部。半导体膜5设于沟4的表面，绝缘膜6设在半导体膜5上。绝缘膜7设于绝缘膜6上，将沟4充填。由于因沟4而露出的化合物半导体层2和绝缘膜6之间隔着半导体膜5，即使在将半导体膜5热氧化而形成绝缘膜6时，化合物半导体层2也不被直接热氧化。从而，提供了可提高半导体装置的元件分离特性的技术。

主权项

1.一种半导体装置，其中，设有：含有化合物半导体层和在所述化合物半导体层上设置的、与所述化合物半导体层共同形成异质结的半导体层的半导体衬底，在所述半导体衬底上设置的、在所述半导体衬底上划分元件形成区的元件分离结构，以及设于所述元件形成区的半导体元件；所述元件分离结构设有：在其厚度方向贯通所述半导体层、进而延伸到所述化合物半导体层的内部的沟，设置于所述沟的表面的半导体膜，在所述半导体膜上设置的第一绝缘膜，以及在所述第一绝缘膜上设置的、将所述沟充填的第二绝缘膜。