[发明专利]当与高度结晶的晶种层结合时在PCMO薄膜上获得可逆电阻转换的方法无效
| 申请号： | 200410049027.6 | 申请日： | 2004-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN1581372A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 庄维佛;李廷凯;D·R·埃文斯;许胜籐;潘威 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01C17/00 | 分类号： | H01C17/00;H01C17/14;H01C17/065;H01C7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邰红;孟凡宏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种当与高度结晶的晶种层结合时，在PCMO薄膜上获得可逆电阻转换的方法，其包括：通过MOCVD以高度结晶的形式沉积厚度为约50A～300A的PCMO薄膜的晶种层；通过旋涂法将厚度为约500A～3000A的第二PCMO薄膜层沉积在该晶种层上以形成复合PCMO层；通过施加脉冲宽度为约75ns～1μs的、约－4V～－5V的负电脉冲提高半导体设备中复合PCMO膜的电阻；通过施加脉冲宽度大于2.0μs的、约+2.5V～+4V的正电脉冲降低半导体设备中复合PCMO层的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 高度 结晶 晶种层 结合 pcmo 薄膜 获得 可逆 电阻 转换 方法 | ||
【主权项】：
1.一种当与高度结晶的晶种层结合时，在PCMO薄膜上获得可逆电阻转换的方法，其包括：通过MOCVD以高度结晶的形式沉积厚度为约50～300的PCMO薄膜的晶种层，通过旋涂法将厚度为约500～3000的第二PCMO薄膜层沉积在该晶种层上以形成复合PCMO层；通过施加脉冲宽度为约75ns～1μs的、约-4V～-5V的负电脉冲提高半导体设备中复合PCMO层的电阻；并且通过施加脉冲宽度大于2.0μs的、约+2.5V～+4V的正电脉冲降低半导体设备中复合PCMO层的电阻。
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