[发明专利]制备场效应晶体管横向沟道的方法及场效应晶体管

摘要

描述了场效应晶体管的应变的横向沟道、场效应晶体管以及CMOS电路的结构及形成方法，包含在单晶半导体衬底上形成的漏、本体和源区，其中在晶体管的源和本体之间形成异质结，其中源区和沟道相对于本体区独立地产生晶格应变。本发明减少了经由异质结来自源区的漏电流和晶格应变有关的问题，同时通过选择半导体材料和合金组分独立地允许沟道中的晶格应变以增加迁移率。

主权项

1.一种制备场效应晶体管横向应变的硅沟道的方法，包括以下步骤：提供具有第一弛豫的Si1-zGez外延区的衬底并将所述第一区掺杂为p型，在所述第一弛豫的Si1-zGez区中形成分隔开的第二和第三应变的硅区，将所述第二和第三应变的硅区掺杂为n型并达到大于1×1019 原子/cm3的浓度水平，以及在位于所述第二和第三应变的硅区之间的所述第一弛豫的Si1-zGez区上形成第四应变的硅区。