[发明专利]声表面波器件和通信设备无效
| 申请号： | 200410049210.6 | 申请日： | 2004-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1578132A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 高田俊明 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/64 | 分类号： | H03H9/64 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种声表面波器件，包括在梯形结构中安置的单端对的SAW器件串联谐振器和单端对的SAW器件并联谐振器。在串联谐振器中，例如，形成通带的两个串联谐振器的谐振频率低于形成通带的并联谐振器的反谐振频率。在由形成通带的并联谐振器和其它的形成通带的串联谐振器形成的电感性区域上处置串联谐振器之一的电容性区域。 | ||
| 搜索关键词： | 表面波 器件 通信 设备 | ||
【主权项】：
1.一种声表面波器件，包括：串联声表面波谐振器；并联声表面波谐振器，串联声表面波谐振器和并联声表面波谐振器安置在梯形结构中；其中至少形成通带的串联声表面波谐振器之一的谐振频率低于至少形成通带的并联声表面波谐振器之一的反谐振频率；在由至少形成通带的串联声表面波谐振器之一和至少形成通带的并联声表面波谐振器之一形成的电感性区域中，放置不同于至少形成通带的串联声表面波谐振器之一的至少串联声表面波谐振器之一的电容性区域，或不同于至少形成通带的并联声表面波谐振器之一的至少并联声表面波谐振器之一的电容性区域。
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