[发明专利]阵列基底及其制造方法、采用该阵列基底的液晶显示装置无效
| 申请号： | 200410049393.1 | 申请日： | 2004-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1573487A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 全珍;朴真奭;金东焕;秋教燮;梁容豪;文智慧;李源规;宋俊昊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/1343;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 阵列基底包括透明基底、像素电极、开关器件、数据线、栅极线和光阻挡层。像素电极与透明基底相隔第一距离。数据线与透明基底相隔第二距离，数据线设置在像素电极之间的区域下方。数据线电连结到源电极，并且数据线具有第一宽度。栅极线电连结到栅电极以导通/截止开关器件。对应于存储电极的光阻挡层与透明基底相隔第三距离，并且光阻挡层阻挡从像素电极之间的空间泄漏的光线。因此，不需要黑色矩阵，从而提高了孔径比。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 基底 及其 制造 方法 采用 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基底，包括：一透明基底；多个像素电极，其呈矩阵状分布，所述像素电极与所述透明基底相隔一第一距离；多个开关器件，其包括栅电极、漏电极及源电极，所述开关器件的漏电极分别电连结到所述像素电极；一数据线，其与透明基底相隔一第二距离，所述数据线设置在所述像素电极之间的一区域下方，所述数据线电连结到所述源电极，并且所述数据线具有一第一宽度；一栅极线，其电连结到所述栅电极，以导通/截止所述开关器件；和一光阻挡图案层，其与所述透明基底相隔一第三距离，并且所述光阻挡图案层阻挡从所述像素电极之间的一空间泄漏的光。
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