[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有可靠性高的BGA。在半导体衬底51的表面上形成焊盘电极53，将玻璃衬底56粘接在半导体衬底51的表面上。自半导体衬底51的背面至焊盘电极53的表面形成通孔VH。在包括通孔VH内的半导体衬底51背面的整个面上形成绝缘膜59。在绝缘膜59上形成缓冲层60。通过蚀刻除去通孔VH底部的绝缘膜59。形成与焊盘电极53电连接并自通孔VH在缓冲层60上延伸的配线层64。在配线层64上形成导电端子66。然后，将半导体衬底51分割为多个半导体芯片51A。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其包括：将支承衬底粘接在形成有焊盘电极的半导体衬底的第一主面上的工序；形成自所述半导体衬底的第二主面至所述焊盘电极的表面的通孔的工序；在包含所述通孔内部的所述半导体衬底的第二主面整个面上形成绝缘膜的工序；蚀刻所述绝缘膜，除去所述通孔底部的绝缘膜的工序；形成配线层的工序，所述配线层通过所述通孔与所述焊盘电极电连接，且自所述通孔延伸设置在所述第二主面上；在所述配线层上形成导电端子的工序；将所述半导体衬底分割成多个半导体芯片的工序。