[发明专利]具有陡端壁偏置磁体的磁阻传感器无效
| 申请号： | 200410049506.8 | 申请日： | 2004-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1573939A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 戴维·E·翰姆;姆斯塔法·M.·品纳巴斯 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有陡端壁偏置磁体的磁阻传感器，其偏置磁体具有基本上垂直的端壁。通过调节一个隔离层的厚度来优化偏置磁体和自由层之间的偏移。本发明还公开了一种磁盘驱动器，其读部件的磁阻传感器具有端壁基本上垂直的优化的偏置磁体。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 陡端壁 偏置 磁体 磁阻 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻传感器，包括：一个传感器叠层，包括一个铁磁钉扎层和一个铁磁自由层，所述传感器叠层具有第一和第二端；一个设置在所述传感器叠层的所述第一端的第一偏置磁体，所述第一偏置磁体具有一个基本上垂直的端壁；以及一个设置在所述传感器叠层的所述第二端的第二偏置磁体，所述第二偏置磁体具有一个基本上垂直的端壁。
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