[发明专利]图案形成方法无效
申请号: | 200410049548.1 | 申请日: | 2004-06-16 |
公开(公告)号: | CN1604275A | 公开(公告)日: | 2005-04-06 |
发明(设计)人: | 远藤政孝;笹子胜 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种图案形成方法,在基板(101)上形成抗蚀剂膜(102),对形成的抗蚀剂膜(102)选择性地照射曝光光线进行曝光。对进行了图案曝光的抗蚀剂膜(102)进行显影,形成第一抗蚀剂图案(102b),接着在基板(101)上遍及含有第一抗蚀剂图案(102b)的全部表面上形成水溶性膜,该水溶性膜中含有与抗蚀剂构成材料交联的交联剂及促进该交联剂交联反应的作为交联促进剂的酸。进而通过加热使水溶性膜(105)和在第一抗蚀剂图案(102b)的侧面上接触部分之间交联反应后,除去水溶性膜(105)中与第一抗蚀剂图案(102b)未反应的部分,以形成从第一抗蚀剂图案(102b)在其侧面上由水溶性膜(105)残存而成的第二抗蚀剂图案(107)。使得到的抗蚀剂图案形状良好。 | ||
搜索关键词: | 图案 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图案形成方法,其特征在于,其中备有:在基板上形成抗蚀剂膜的工序;对所述抗蚀剂膜选择性地照射曝光光线而进行曝光的工序;通过对进行了曝光的所述抗蚀剂膜进行显影,形成第一抗蚀剂图案的工序;在所述基板上含有所述第一抗蚀剂图案的全部表面上,形成水溶性膜的工序,该水溶性膜含有与所述第一抗蚀剂图案构成材料交联的交联剂及促进该交联剂的反应的交联促进剂;通过加热所述水溶性膜,使所述水溶性膜及第一抗蚀剂图案中该第一抗蚀剂图案的侧面上接触部分之间交联反应的工序;和除去所述水溶性膜中与所述第一抗蚀剂图案的未反应部分,形成从所述第一抗蚀剂图案在其侧面上由所述水溶性膜残存而成的第二抗蚀剂图案的形成工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造