[发明专利]金属联机结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200410049682.1 | 申请日： | 2004-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1601742A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 余振华;施足;刘重希;郑双铭;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种利用含硅－碳薄膜作为介电层的中间层的钨－铜内联机结构。在具有导电区的半导体基底上，先覆盖一绝缘层。该绝缘层上具有开口以露出该导电区。以钨插塞填充该介层洞以电性连结该导电区。该绝缘层与钨插塞上覆盖含硅－碳薄膜以及低介电常数介电层，其上有沟槽露出其下的钨插塞，而沟槽中则填充铜或铜合金层形成导线。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 联机 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属联机结构，其特征在于，包含：一半导体基底，其上具有一导电区；一绝缘层覆盖于该半导体基底表面，其上具有一开口以露出该导电区；一导电插塞，填满该开口以与该导电区形成电性连结；一含硅-碳薄膜，覆盖于该绝缘层与该导电插塞上；一低介电常数介电层，覆盖于该含硅-碳薄膜上；一沟槽，位于该低介电常数介电层于该含硅-碳薄膜中；以及一铜金属或铜合金层，填满该沟槽，以与该导电插塞成电性连结。
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