[发明专利]降低磷离子注入（0001）取向的4H－碳化硅电阻率的方法无效
| 申请号： | 200410049770.1 | 申请日： | 2004-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1716555A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 高欣;孙国胜;李晋闽;王雷;赵万顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/425 | 分类号： | H01L21/425;C30B31/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种降低磷离子注入(0001)取向的4H－碳化硅电阻率的方法，其特征在于，包括如下步骤：通过模拟程序选定在4H－碳化硅上进行磷离子注入参数，以形成杂质在注入层中的均匀分布；将磷离子注入到4H－碳化硅(0001)晶面；注入的样品在纯净的氩气保护下高温退火。本发明通过控制磷离子注入速率，减少了注入损伤，从而改善了退火后注入层的结晶质量，使得在工艺处理难度降低的情况下(例如，注入温度和退火温度)，达到降低注入层电阻率的目的，样品表面平整光滑，而且并未观察到明显的表面Si的蒸发。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 离子 注入 0001 取向 碳化硅 电阻率 方法 | ||
【主权项】：
1、一种降低磷离子注入(0001)取向的4H-碳化硅电阻率的方法，其特征在于，包括如下步骤：通过模拟程序选定在4H-碳化硅上进行磷离子注入参数，以形成杂质在注入层中的均匀分布；将磷离子注入到4H-碳化硅(0001)晶面；注入的样品在纯净的氩气保护下高温退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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