[发明专利]一种以真空溅镀法制作多层陶瓷电容器的方法

摘要

一种以真空溅镀法制作介电陶瓷层及内部电极层的多层陶瓷电容器制法，其介电陶瓷层及内部电极层以真空溅镀方式制作，使多层陶瓷电容器组件制作致密性极佳且厚度介于1～5μm的介电陶瓷层及0.1～0.5μm的内部电极层。与传统以刮刀－干式工艺或淋膜－湿式工艺制作的、同体积及同耐压等级的多层陶瓷电容器对比，层数提高，电容量提高；与传统的同容量及同工作电压等级的多层陶瓷电容器对比，总层数相对降低，制造成本降低，其内部电极层致密性极佳且薄，令整个多层陶瓷电容器组件体积缩小，符合大容量小型化的多层陶瓷电容器组件使用需求。

主权项

1、一种以真空溅镀法制作介电陶瓷层及内部电极层的多层陶瓷电容器制作方法，其特征在于实施步骤如下：(1)以真空溅镀法制作介电陶瓷层，是于5×10-6Torr高真空环境与气体流速12cm3/min的氩气作用下，以150℃持温30分钟加热工作物，并以离子束溅击，其溅镀压力控制在3.1×10-3Torr，而镀膜速率控制在55A/min，溅击出的介电陶瓷原子挥发形成等离子体状态而被吸附沉积于基板上，构成厚度介于1～5μm且致密性极佳的介电陶瓷层；(2)以真空溅镀法披覆内部电极层，是在上述同样的反应性气体工作压力及加热条件下，以离子束溅击，其溅镀压力控制在3.1×10-3Torr，而镀膜速率控制在115A/min，溅击出的导电材金属原子挥发成等离子体状态而被吸附沉积于已制作出的介电陶瓷层上，构成厚度介于0.1～0.5μm且致密性极佳的内部电极层；(3)光罩蚀刻处理出内部电极线路，是在制作出内部电极层后，以光刻胶涂布并曝光显像出电极线路轨迹，以此电极线路轨迹蚀刻出所需的内部电极线路；(4)以真空溅镀法制作绝缘体披覆的介电陶瓷层，是在同样的反应性气体工作压力及加热条件下，以离子束溅击，其溅镀压力控制在3.1×10-3Torr，而镀膜速率控制在55A/min，溅击出的介电陶瓷原子挥发成等离子体状态而被吸附沉积于上述已制出的内部电极层上，形成绝缘体披覆的介电陶瓷层，以构成具有单层内部电极的陶瓷电容器组件；(5)重复以真空溅镀法披覆内部电极层的步骤，是在同样的反应性气体工作压力及加热条件下，以离子束溅击，其溅镀压力控制在3.1×10-3Torr，而镀膜速率控制在115A/min，溅击出的导电材金属原子挥发成等离子体状态而被吸附沉积于已制作好的绝缘体披覆的介电陶瓷层，构成厚度介于0.1～0.5μm且致密性极佳的又一层内部电极；(6)重复光罩蚀刻处理出内部电极线路的步骤，是将已制作出的又一层内部电极层以光刻胶涂布并曝光显像出电极线路轨迹，并以此电极线路轨迹蚀刻出所需的又一层内部电极线路；(7)重复以真空溅镀法制作绝缘体披覆的介电陶瓷层，是在同样的反应性气体工作压力及加热条件下，以离子束溅击，其溅镀压力控制在3.1×10-3Torr及镀膜速率控制在55A/min，溅击出的介电陶瓷原子挥发成等离子体状态而被吸附沉积于上述已制作出的又一层内部电极层上，形成绝缘体披覆的介电陶瓷层；再重复步骤(5)-(7)多次，即可制作出有所需层数的多层内部电极陶瓷电容器；成品后处理，是将此多层内部电极的电容组件依序进行切割、烘干、端银及电性测试等后续工艺，即可制作出多层陶瓷电容器(MLCC)组件成品。