[发明专利]一种纳米高纯二氧化硅的制备方法

摘要

本发明涉及一种纳米高纯二氧化硅的制备方法，其为在高频等离子体气相氧化反应装置中采用等离子体气相法制备纳米SiO₂，包括：将空气或氧气净化后送入高频等离子体发生器，在震荡功率30KW、频率3～4MHz的条件下，产生等离子态的氧；将SiCl₄在200～300℃温度下气化后，送入等离子体化学反应器，与氧等离子体在1200～1800℃下进行反应，反应物在反应器内停留0.15～1秒，采用除疤装置除疤，送入的SiCl₄与氧气的摩尔比为1∶1.2～2；最后通入干燥的空气或N₂气，将二氧化硅晶核淬冷至300℃以下，收集粉体、除氯，得到本发明的纳米高纯二氧化硅。该方法工艺流程简单，产品粉体不易团聚，分散度好，产品颗粒的尺寸、分布和形貌可控，且生产量大，不会带来环境问题。

主权项

1、一种纳米高纯二氧化硅的制备方法，其为在高频等离子体气相氧化反应装置中采用等离子体气相法制备纳米SiO2，包括如下的步骤：1)将空气或氧气净化后送入等离子体发生器，在震荡功率30KW、频率3～4MHz的条件下，产生等离子态的氧，并进入等离子体化学反应器；所述的等离子体发生器中的工作气与边气的体积比为1∶4～6；2)将SiCl4在200～300℃温度下气化后，送入等离子体化学反应器，与步骤1)产生的氧等离子体在1200～1800℃下进行混合核化反应，反应物在等离子体化学反应器内停留0.15～1秒，采用除疤装置间隔3～5分钟除疤一次，生成二氧化硅晶核和氯气；送入的SiCl4与步骤1)中送入的氧气的摩尔比为1∶1.2～2；3)向等离子体化学反应器中通入干燥的空气或N2气，将正在生长的二氧化硅晶核淬冷至300℃以下，得到不同形貌的二氧化硅粉体；4)将步骤3)得到的二氧化硅粉体经旋风分离后收集，然后在热空气作用下，通入1～3v％体积的氨气，脱除二氧化硅粉体表面吸附的氯气，得到本发明的纳米高纯二氧化硅。