[发明专利]一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法，首先利用刻槽氧化的方法直接形成准SOI场效应晶体管源漏区的L型隔离层结构，这样隔离层结构的高度宽度可以分别通过槽的深度以及氧化时间精确控制。再选择外延形成晶体管沟道和源漏区，因此可以实现源漏区与沟道区的理想连接，先形成隔离层后形成沟道区，从而可以避免由于后形成“L”型隔离层影响沟道区与源漏区的连接问题。最后，通过侧墙定义形成栅结构，自对准实现源漏。因此可以通过侧墙厚度，准确控制源漏区的位置，从而可以实现真正意义上的准SOI结构。本发明提出的方法工艺实现简单，与传统的CMOS工艺兼容，可控性好，易于可以实现真正的准SOI结构。

主权项

1.一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法，依次包括以下步骤：(1)进行浅槽隔离；(2)淀积牺牲层和氧化硅；(3)在源漏区刻槽；(4)氧化形成源漏区的“L”型隔离层；(5)去处牺牲层；(6)以裸露出的硅膜作为选择外延的窗口，选择外延硅或锗填满所有凹陷区，同时实现外延沟道区和源漏区；(7)化学机械抛光，以氧化硅作为停留层，将多余的外延层去处，进行平坦化；(8)去除氧化硅；(9)形成侧墙；(10)形成栅氧化层，淀积多晶硅，光刻栅线条；(11)栅、源/漏注入，退火激活杂质；(12)采用常规CMOS工艺完成后续流程，完成器件制备。