[发明专利]用于半导体制造设备的气体喷射器无效
申请号: | 200410049997.6 | 申请日: | 2004-06-25 |
公开(公告)号: | CN1576391A | 公开(公告)日: | 2005-02-09 |
发明(设计)人: | 李相坤 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/205;H01L21/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王允方;刘国伟 |
地址: | 大韩民*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于向一在其中放置有基板的反应室供给气体的气体喷射器,其包括:一主供气管,其贯穿反应室,使得该主供气管的出口端被安置在反应室的内部;从该主供气管的出口端分出的支管;以及连接到该等支管各自出口端的喷射器排气口部件。将来自于外部气体供给源的气体供给到该主供气管中。每一个喷射器排气口部件都具有多个喷注孔。因为气体首先通过该等支管得到分配,然后通过该等喷注孔在每一个喷射器排气口部件处被喷射,所以有可能实现均匀的气体喷射,因此而有可能在处理均匀性方面得以改善。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 制造 设备 气体 喷射器 | ||
【主权项】:
1.一种用于向一其中放置有一基板的反应室供给气体的气体喷射器,其包括:一主供气管,该主供气管贯穿该反应室,使得该主供气管的一个出口端被安置于该反应室的内部,该主供气管接收由一外部气体供给源所供给的气体;从该主该供气管的出口端分出来的多个支管;及连接至该等支管各自出口端的至少一个喷射器排气口部件,该喷射器排气口部件具有多个喷注孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于周星工程股份有限公司,未经周星工程股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410049997.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的