[发明专利]具有沟槽形式的装置隔离层的半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种制造具有沟槽形式的装置隔离层的半导体装置的方法，其能够控制沟槽顶角的圆滑角度及除去在蚀刻该沟槽后所形成的受损层。特别地，通过使用至少包括溴化氢和氯气的气体而使该沟槽顶角具有约30°至约60°的角度。然后，进行一种各向同性的蚀刻技术作为光蚀刻处理来使该顶角具有约50°至约80°的角度。最后，进行一种干氧化技术来形成屏蔽氧化物层与栅极氧化物层，在形成栅电极之前使凹沟最小化。

主权项

1、一种用于形成半导体装置的装置隔离层的方法，包括以下步骤：在基板上形成界定装置隔离层的衬垫层图案；通过使用衬垫层图案作为掩模来蚀刻基板的暴露部分而形成沟槽；进行蚀刻处理来使沟槽的顶角圆滑；通过氧化在蚀刻处理后所形成的沟槽侧面而形成侧面氧化物层；在该侧面氧化物层上形成内衬氮化物层；在该内衬氮化物层上形成绝缘层来充填该沟槽；以及平坦化该绝缘层。