[发明专利]具有应力施加层的非平面器件及制造方法有效
| 申请号： | 200410050129.X | 申请日： | 2004-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1577889A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·S·周;斯科特·A·黑尔兰德;布雷恩·S·多伊;休曼·达塔;贝恩－叶海·吉恩 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12;H01L21/84;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了具有应力施加层的非平面器件及制造方法。包括半导体主体的半导体器件被形成在绝缘衬底上，所述半导体主体具有顶表面和横向相对的侧壁。在半导体主体的顶表面上、在半导体主体的横向相对侧壁上形成栅极电介质层。在半导体主体顶表面上的栅极电介质上、以及与半导体主体的横向相对侧壁上的栅极电介质邻接来形成栅电极。然后与半导体主体邻接形成薄膜，其中该薄膜在半导体主体中产生应力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 施加 平面 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：形成在衬底之上的半导体主体，所述半导体主体具有顶表面与横向相对的侧壁；栅极电介质，所述栅极电介质在所述半导体主体的所述顶表面上、以及在所述半导体主体的所述横向相对的侧壁上形成；栅电极，所述栅电极在所述半导体主体的所述顶表面上的所述栅极电介质上、以及与所述半导体主体的所述横向相对的侧壁上的所述栅极电介质邻接形成；和膜，所述膜与所述半导体主体邻接形成，其中所述膜在所述半导体主体中产生应力。
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