[发明专利]碳纳米管阵列结构及其制备方法有效
| 申请号： | 200410051102.2 | 申请日： | 2004-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1733601A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘亮;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳纳米管阵列结构及其制备方法。该碳纳米管阵列结构，包括一基底、形成于该基底一表面上的至少一催化剂区块、及形成于该催化剂区块上的碳纳米管阵列，其特征在于该催化剂区块的厚度由一第一端部向一第二端部逐渐减薄，自第一端部至第二端部的范围内，有一处的厚度最接近一最佳厚度，碳纳米管阵列从接近最佳厚度处向背离最佳厚度处的方向弯曲。本发明还揭露制备上述碳纳米管阵列结构的方法。该碳纳米管阵列结构及其制备方法可用于平面显示、纳米电子器件、大电流场发射电子枪等器件及其阴极制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管阵列结构，包括一基底、形成于该基底一表面上的至少一催化剂区块、及形成于该催化剂区块上的碳纳米管阵列，其特征在于该催化剂区块的厚度由一第一端部向一第二端部逐渐减薄，自第一端部至第二端部的范围内，有一处的厚度最接近一最佳厚度，碳纳米管阵列从接近最佳厚度处向背离最佳厚度的方向弯曲。
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