[发明专利]CMOS电路的闩锁效应测试方法有效
| 申请号： | 200410051149.9 | 申请日： | 2004-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1588107A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 罗宏伟 | 申请（专利权）人： | 信息产业部电子第五研究所 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人： | 温旭 |
| 地址： | 510610广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种CMOS电路的闩锁效应测试方法，可用于测试CMOS集成电路的触发电压/电流、维持电压/电流的准确数值和二次击穿电压/电流抗闩锁能力参数，测试时首先将待测器件所有的输入端连接到地，输出端悬空，再按如下步骤进行：首先，对待测端进行直流电压扫描测试，直到待测端对地导通，得到待测端的触发电压Von；然后，对待测端进行脉冲电流Ipulse测试，直到出现闩锁，得到触发电流和维持电压/电流；最后，对待测端进行脉冲电压Vpulse测试，直到出现二次击穿，得到二次击穿电压/电流。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 电路 效应 测试 方法 | ||
【主权项】：
1、一种CMOS电路的闩锁效应测试方法，其特征在于：所述测试方法可用于测试CMOS集成电路的触发电压/电流、维持电压/电流的准确数值和二次击穿电压/电流抗闩锁能力参数，测试时首先将待测器件所有的输入端连接到地，输出端悬空，然后按如下步骤进行：A、首先对待测端进行直流电压扫描测试，直到待测端对地导通，得到待测端的触发电压Von；B、对待测端进行脉冲电流Ipulse测试，直到出现闩锁，得到触发电流和维持电压/电流；C、对待测端进行脉冲电压Vpulse测试，直到出现二次击穿，得到二次击穿电压/电流。
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