[发明专利]集成电路封装结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200410051157.3 | 申请日： | 2004-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1734754A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 吕昌岳;余泰成;黄全德;黄文正;林志泉;陈杰良 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/433 | 分类号： | H01L23/433;H05K7/20;H01L21/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种集成电路封装结构，其包括：一基板；一集成电路芯片设置于基板上；一集成散热片置于集成电路芯片上方，其边缘下端固定于基板上，该集成散热片包括一内表面及一外表面；及一碳纳米管阵列设置于上述集成电路芯片与散热器件之间；其中，该碳纳米管阵列是形成于集成散热片的内表面，其两端分别与集成散热片及集成电路芯片垂直接触，该碳纳米管中填充有高热传导系数的纳米金属材料。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路封装结构，其包括一基板，一集成电路芯片设置于基板上，一集成散热片置于集成电路芯片上方，其边缘下端固定于基板上，该集成散热片包括一内表面及一外表面，一碳纳米管阵列设置于上述集成电路芯片与集成散热片之间，其特征在于：该碳纳米管阵列形成于集成散热片的内表面，其两端分别与集成散热片及集成电路芯片垂直接触。
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