[发明专利]半穿透半反射式液晶显示装置无效
| 申请号： | 200410051256.1 | 申请日： | 2004-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1740854A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 杨秋莲;凌维仪 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133;G02F1/1335;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半穿透半反射式液晶显示装置，其包括：一上基板，一下基板，一位于该上基板与该下基板之间的液晶层，一设置在上基板外侧的上偏光板，一设置在该液晶层及该上基板之间的上配向膜，一公共电极设置在上基板，一设置在该液晶层及该下基板之间的下配向膜，像素电极设置在下基板，该像素电极、公共电极及位于其中间的液晶层构成像素区域，该每一像素区域具一反射区电极及一穿透区电极，一设置在该下基板外侧的下偏光板，其中该液晶层的上下基板的配向摩擦方向夹角为0度至90度，该上基板外侧及下基板外侧分别设置有一第一上延迟片及第一下延迟片，该第一上延迟片及第一下延迟片均为四分之一波长片。该液晶显示装置具有高对比度，视角良好的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 穿透 反射 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种半穿透半反射式液晶显示装置，其包括：一上基板，一下基板，一位于该上基板与该下基板之间的液晶层，一设置在上基板外侧的上偏光板，一设置在该液晶层及该上基板之间的上配向膜，一公共电极设置在上基板，一设置在该液晶层及该下基板之间的下配向膜，一像素电极形成于下基板，其中该像素电极、公共电极及位于其中间的液晶层构成一像素区域，该每一像素区域具一反射区电极及一穿透区电极，一设置在该下基板外侧的下偏光板，其特征在于：该液晶层的上下基板的配向摩擦方向夹角为0度至90度，该上基板外侧及下基板外侧分别设置有一第一上延迟片及第一下延迟片，该第一上延迟片及第一下延迟片均为四分之一波长片。
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