[发明专利]硅纳米线结构及其生长方法有效
| 申请号： | 200410051311.7 | 申请日： | 2004-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1740406A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 葛帅平;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/06;C30B29/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅纳米线结构及其生长方法，属于纳米线技术领域。所述硅纳米线结构包括：一硅晶片基底，其包括一晶面，多根硅纳米线生长在所述晶面；所述硅纳米线沿所述晶面的外延<111>方向形成。所述晶面包括(100)、(110)以及(111)晶面，所述晶面包括多个外延<111>方向。其生长方法包括步骤：在硅晶片的晶面上形成一层金属催化剂层；将含有金属催化剂的硅晶片置于石英管内，在500至1000度反应温度下、通入含硅的反应气及氢气进行反应，并确保反应气含硅的量与氢气的摩尔比值为0.05～0.4，在石英管内壁沉积硅并逐渐达到平衡状态；在硅晶片的晶面上生长出硅纳米线。本发明可应用于纳米光学，纳米电子等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅纳米线结构，其包括：一硅晶片基底，其包括一晶面，多根硅纳米线生长在所述晶面；其特征在于，所述硅纳米线沿所述晶面的倾斜的外延<111>方向形成。
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