[发明专利]场效应晶体管有效
| 申请号： | 200410052034.1 | 申请日： | 2004-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1767208A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 陈杰良 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管，其包括一第一导电类型的半导体层；一第二导电类型的源极区域与一第二导电类型的漏极区域分别形成于上述半导体层，该源极区域与该漏极区域相距一定距离；一绝缘氧化层形成于上述半导体层，且位于上述源极区域与漏极区域之间；一源极电极、一漏极电极与一栅极电极分别形成于上述源极区域、漏极区域与绝缘氧化层，其中，该半导体层为一半导体性的碳纳米管层。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，其包括一第一导电类型的半导体层；一第二导电类型的源极区域与一第二导电类型的漏极区域分别形成于上述半导体层，该源极区域与该漏极区域相距一定距离；一绝缘氧化层形成于上述半导体层，且位于上述源极区域与漏极区域之间；一源极电极、一漏极电极与一栅极电极分别形成于上述源极区域、漏极区域与绝缘氧化层，其特征在于，该半导体层为一半导体性的碳纳米管层。
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