[发明专利]场发射阴极和场发射装置有效
| 申请号： | 200410052265.2 | 申请日： | 2004-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1773649A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 盛雷梅;柳鹏;魏洋;潜力;唐洁;刘亮;陈丕瑾;胡昭复;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场发射阴极，其包括若干电子发射体和用于承载该若干电子发射体的导电承载体。其中，该导电承载体是一个由多个导电承载柱形成的网状结构，该若干电子发射体分别形成于各个导电承载柱的表面。解决了现有技术中电子发射体个体间隔紧密导致其电子屏蔽效应增加的问题，因而使得整个阴极的场发射电压降低，发射性能得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 阴极 装置 | ||
【主权项】：
1.一种场发射阴极，包括若干电子发射体和用于承载该若干电子发射体的导电承载体，其特征在于，该导电承载体是一个由多个导电承载柱形成的网状结构，该若干电子发射体分别形成于各个导电承载柱的表面。
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