[发明专利]一种发光二极管结构及其生长方法有效
| 申请号： | 200410052325.0 | 申请日： | 2004-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1779998A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘明德;严志军 | 申请（专利权）人： | 方大集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518055广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种外延生长的LED结构及其生长方法，在传统的LED结构：衬底层上的缓冲层、uGaN层、n型GaN∶Si层、复合量子阱层－垒层、p型GaN∶Mg层的基础上，通过生长不掺杂的uGaN隔层而使阱层与垒层被隔开，从而在界面处将复合量子阱层与垒层从物理上分隔开。结果表明，通过本发明的生长方法所产生的LED结构与现有技术的LED相比，可以显著地降低LED芯片的反向漏电电流Ir，并提高LED芯片的良品率。本发明可用于制造各种波长的GaN基LED。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管结构，包括衬底层上的缓冲层、uGaN层、n型GaN:Si层、复合量子阱层-垒层、以及p型GaN:Mg层，其特征在于，通过加入uGaN隔层而使所述阱层与垒层被隔开。
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