[发明专利]背入射式高密度石英反射光栅无效
| 申请号： | 200410052910.0 | 申请日： | 2004-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1588135A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 周常河;张妍妍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;H04J14/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于常用波段1.55微米光纤通信的密集波分复用器件的背入射式高密度石英反射光栅(TIR光栅)，其特点在于当该光栅的周期为660～740纳米，光栅的深度为680～820纳米，光栅的占空比为1/2，本发明可以使在TM偏振光入射下1级反射衍射效率对1550纳米波长实现高于95％的结果。当该光栅的周期为720～775纳米，光栅的深度为480～560纳米，光栅的占空比为1/2，本发明的优点是：可以使在TE偏振光入射下1级反射衍射效率对1550纳米波长实现高于96％的结果；光栅的衍射效率与光栅的刻槽形状无关，光栅的占空比为1/2；本发明背入射式高密度石英反射光栅由光学全息记录技术或电子束直写装置结合微电子光刻工艺加工而成，可以低成本、大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 入射 高密度 石英 反射光栅 | ||
【主权项】：
1、一种用于常用波段1.55微米光纤通信的密集波分复用器件的背入射式高密度石英反射光栅，其特征在于该光栅的周期为660～740纳米，光栅的深度为680～820纳米，光栅的占空比为1/2。
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