[发明专利]除去半导体器件的焊盘区中的晶格缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种用有机溶剂(EKC，ACT等)清洁和氩气等离子体溅射修复处理除去半导体器件的焊盘(PAD)区中的晶格缺陷的方法，在焊盘的铝合金钝化层形成步骤之后，在其上形成聚酰亚胺保护层之前，检测焊盘区中是否存在晶格缺陷，如果焊盘区中存在晶格缺陷，则进行有机溶剂(EKC，ACT等)清洁处理，以除去焊盘区中的晶格缺陷。经过所述的EKC清洁处理后并在焊盘区上形成了聚酰亚胺保护层后，如果发现焊盘区中仍然存在晶格缺陷则进行氩气等离子体溅射修复处理进一步除去半导体器件的焊盘(PAD)区中的晶格缺陷。

主权项

1、除去半导体器件的焊盘区中的晶格缺陷的方法，包括以下步骤：步骤1，在已经形成有半导体器件的其他构件的衬底上形成导电层，例如，铝或铝合金层；步骤2，在铝或铝合金导电层上涂覆光刻胶(PR)；步骤3，用具有焊盘图形的掩模对导电层进行光刻和腐蚀，对要构成焊盘的导电层构图；步骤4，进行灰化(Ashing)处理，除去导电层上的光刻胶；步骤5，进行有机溶剂清洗，清除光刻胶；步骤6，在已形成的具有焊盘图形的导电层上形成铝合金钝化层；步骤7，在已形成有铝合金钝化层的导电焊盘上形成聚酰亚胺保护层；制成半导体器件的焊盘，其特征是，在步骤6之后和步骤7之前的进行：步骤S1，检测到焊盘区中是否存在晶格缺陷，步骤S2，在步骤S1中检测到焊盘区中有晶格缺陷时，对焊盘区进行EKC清洁处理，以消除焊盘区中存在的晶格缺陷；在步骤7之后还包括：步骤S3，检测到焊盘区中是否存在晶格缺陷步骤S4，在步骤S3中检测到焊盘区中有晶格缺陷时，对已形成的焊盘结构进行氩气(Ar)等离子体溅射修复处理，以进一步消除焊盘区中的晶格缺陷。