[发明专利]除去半导体器件的焊盘区中的晶格缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种用有机溶剂(EKC，ACT等)清洁除去半导体器件的焊盘(PAD)区中的晶格缺陷的方法，在焊盘的铝合金钝化层形成步骤之后，在其上形成聚酰亚胺保护层之前，检测焊盘区中是否存在晶格缺陷，如果焊盘区中存在晶格缺陷，则进行有机溶剂(EKC，ACT等)清洁处理，以除去焊盘区中的晶格缺陷。所述的NEKC清洁处理，是用胺碱，即含有胺基的有机溶剂，例如，EKC 270/265，或ACT 940等有机溶剂，进行清洁处理。除去由于腐蚀剂中逸出的氟离子(F⁺)在焊盘区中产生的晶格缺陷。

主权项

1、除去半导体器件的焊盘区中的晶格缺陷的方法，包括以下步骤：步骤1：在已经形成有半导体器件的其他构件的衬底上形成导电层，例如，铝或铝合金层；步骤2：在铝或铝合金导电层上涂覆光刻胶(PR)；步骤3：用具有焊盘图形的掩模对导电层进行光刻和腐蚀，对要构成焊盘的导电层构图；步骤4：进行灰化(Ashing)处理，除去导电层上的光刻胶；步骤5：进行有机溶剂清洗，清除光刻胶；步骤6：在已形成的具有焊盘图形的导电层上形成铝合金钝化层；步骤7：在已形成有铝合金钝化层的导电焊盘上形成聚酰亚胺保护层；制成半导体器件的焊盘，其特征是，在步骤6之后与步骤7之前还包括：步骤S1，检测焊盘区中是否存在晶格缺陷；步骤S2，在步骤S1中检测到焊盘区中有晶格缺陷时，对已形成的焊盘结构用胺碱进行有机溶剂(EKC，ACT等)清洁处理，以消除焊盘区中的晶格缺陷。