[发明专利]有机三极管及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200410053100.7 申请日: 2004-07-23
公开(公告)号: CN1588665A 公开(公告)日: 2005-03-02
发明(设计)人: 张志林;蒋雪茵 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L51/20 分类号: H01L51/20;H01L51/40;H01L29/786
代理公司: 上海开祺专利代理有限公司 代理人: 李兰英
地址: 200072*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种有机三极管及其制备方法,有机三极管是垂直型的结构。主要特点是置于发射电极的发射面上含有栅孔的两层绝缘层之间夹有控制栅极的栅网。制备方法是首先在发射电极的发射面上制作栅网;然后再在栅网上制作有机半导体层和接收电极。本发明的控制栅极与发射电极之间仅隔一层可以薄到纳米量级的绝缘层,因此,控制栅极与发射电极之间只要加很低的电压就可以引发发射电极的场发射载流子。所以,控制栅极电压既能够实现场发射,又能够实现场抑制。放大倍率和反应速度都比现有技术的大有提高。本发明的有机半导体层还可以制成包含有机发光层的复合层,因此,本发明的有机三极管还可以发光。
搜索关键词: 有机 三极管 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种有机三极管,是垂直型结构的有机三极管,含有衬底,置于衬底上面的发射电极、有机半导体层和接收电极,其特征在于在发射电极与接收电极之间的有机半导体层内,置放在发射电机的发射面上含有栅孔的两绝缘层之间夹有控制栅极的栅网。
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