[发明专利]一种无源漏重掺杂NMOS器件的制备方法无效
| 申请号： | 200410053297.4 | 申请日： | 2004-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1728350A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘清富 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明有关一种无源漏重掺杂NMOS器件的制备方法，其在常规工艺的多晶硅栅积以后，对NMOS栅进行选择性离子注入，然后作栅的刻蚀工艺，接着进行缓变结离子注入，最后作自对准硅化物。本发明选择性地对NMOS进行离子注入，一方面减小晶体管的多晶硅耗尽，另一方面用来调节多晶硅电阻率。取消高剂量的源漏注入，采用低剂量高能量离子注入取代，有效地降低热载流子效应，提高器件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无源 掺杂 nmos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种无源漏重掺杂NMOS器件的制备方法，其特征在于：在多晶硅栅积以后，对NMOS栅进行选择性离子注入，然后作栅的刻蚀工艺，接着进行缓变结离子注入，最后作自对准硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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