[发明专利]一种硅片上金属硅化物成长质量的检测方法无效
| 申请号： | 200410053298.9 | 申请日： | 2004-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1727870A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王飞;孙宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N13/10 | 分类号： | G01N13/10;G01N1/32 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘清富 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种硅片上金属硅化物成长质量的检测方法，可以用以方便快捷地使用表面观测的方法检测硅片表面硅化钛的成长质量，其步骤为：首先使用浓度为90％以上的氢氟酸腐蚀15分钟以上的方法将硅片表面的金属配线和二氧化硅去除，接着使用电子扫描显微镜对硅片表面观察来确定硅化钛的成长质量。使用本发明的方法，可以对硅片的加工和准备都不需要很高的要求，而且结果也很直观。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 金属硅 成长 质量 检测 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅片上金属硅化物成长质量的检测方法，其特征在于：首先使用强酸腐蚀的方法将硅片表面的金属配线和二氧化硅去除，接着使用电子扫描显微镜对硅片表面观察来确定硅化钛的成长质量。
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