[发明专利]掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法无效
| 申请号： | 200410053302.1 | 申请日： | 2004-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1587448A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 徐军;苏良碧;张连翰;杨卫桥;周国清;董永军;赵志伟;赵广军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法，该晶体结构表示为AeWO4：Re，F，该晶体的生长方法包括下列步骤：①初始原料的配方；②按选定比例称取的原料，充分混合均匀后压制成块，放入铱或铂金坩埚内，采用相应的AeWO4晶体作籽晶，生长气氛为高纯氩气(Ar)或氮气(N2)，采用熔体法生长晶体生长方法。本发明采用F－离子补偿三价稀土离子掺入碱土金属钨酸盐AeWO4 (Ae＝Ca，Sr，Ba)晶体中引起的电荷不平衡，形成同时含有氟氧两种阴离子的激光晶体(AeWO4:Re，F)实验证明激光输出效率可以提高10～200％。 | ||
| 搜索关键词： | 掺氟钨酸盐 激光 晶体 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掺氟钨酸盐激光晶体，其特征在于该晶体结构表示为AeWO4:Re，F，冒号左边部分是作为基质晶体的碱土钨酸盐，其中Ae＝Ca，Sr，Ba，右边部分的第一个元素是作为激活离子的稀土元素，第二个元素即电荷补偿离子F-。
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