[发明专利]硒同素异晶P.N或N.P型结构的感光大平板的制造工艺

摘要

本发明公开了一种硒同素异晶P.N或N.P型结构的直接成像的感光大平板的制造工艺。该工艺将非晶硒和晶硒混合膜层、晶硒膜层制在导电平板上。这是一种全新的同素异晶构造的P.N或N.P型双层结构的光敏半导体，其特点是带电稳定电位高，成像质量好，工艺稳定，重复性强，易获得物理参数一致的膜层，有效地克服传统制膜工艺的制造难度大，成功率低、重复性、稳定性差，带电性能不稳定。电位也不理想的缺陷。对未来医学影像数字化的发展普及和提高起到了推波助澜的作用。

主权项

1、一种硒同素异晶P·N或N.P型结构的感光大平板的制造工艺，其特征在于：(a)：先将导电平板清洗干燥；(b)：置真空室，控温基板加导热材料和固定，在蒸发舟内，加上适量的纯硒颗粒，或硒合金颗粒；(c)：盖上钟罩抽真空，对控温基板进行循环水加热，对蒸发舟进行预热加热；(d)：控温基板温度需先达到，真空度达到，蒸发温度达到时，打开挡板，开始蒸发，蒸发速率控制在5-8u/分；(e)由于P型和N型所需温度不同，对控温基板需及时快速换温；非晶硒膜的获得(P型)可在70-85℃中选择；硒混合膜的获得(N型)可在45-65℃中选择；(f)蒸发结束，关闭硒舟加电炉，关闭恒温浴，切换室温水进入控温基板，让其渐渐降至室温；(g)蒸发结束5分钟后，关闭真空阀门，渐渐缓慢放气(先慢后快，完毕后取出导电平板清洁，静置48小时后备用；(h)48小时后进行微电子加工处理。