[发明专利]用于0.18微米接触孔的刻蚀方法有效
| 申请号： | 200410053419.X | 申请日： | 2004-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1731565A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 吕煜坤;吴智勇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于0.18微米接触孔的刻蚀方法，旨在提供一种刻蚀效果好，能防止欠刻蚀和过刻蚀的刻蚀方法。其技术方案的要点是：第一步，对顶部氮氧化硅进行刻蚀；第二步，对上层氧化膜进行主刻蚀，采用高刻蚀速率选择比(氧化膜/氮氧化硅)，从而保证孔停在氮氧化硅上；第三步，使用氮气和氧气混合气体来去除孔底反应生成物；第四步，对下层氮氧化硅进行主刻蚀，使孔停在底层金属硅化物上。由于采用高刻蚀速率选择比(氮氧化硅/氧化膜)，对于因光刻工艺对准偏差而偏移到STI上的部分能停在氧化膜上，不损伤有源区侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 0.18 微米 接触 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于0.18微米接触孔的刻蚀方法，其特征在于：第一步，对顶部氮氧化硅进行刻蚀；第二步，对上层氧化膜进行主刻蚀，采用高刻蚀速率选择比，从而保证孔停在氮氧化硅上；第三步，使用氮气和氧气混合气体来去除孔底反应生成物；第四步，采用高刻蚀速率选择比对下层氮氧化硅进行主刻蚀，保证孔停在底层金属硅化物上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410053419.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
