[发明专利]基于旋涂和键合实现微纳米图案转移的方法无效
申请号: | 200410053487.6 | 申请日: | 2004-08-05 |
公开(公告)号: | CN1588232A | 公开(公告)日: | 2005-03-02 |
发明(设计)人: | 刘景全;孙洪文 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种基于旋涂和键合实现微纳米图案转移的方法,用于纳米技术领域。本发明首先加工母板及对母板表面进行处理,然后采用旋涂的方法在母板表面旋涂聚合物预聚体并固化,接着在固化的聚合物上键合基片并剥离母板,最后采用反应离子刻蚀除去凹处残留的聚合物便在基底上形成了聚合物的图案,或者将聚合物图案转移到基底上。通过本发明中的旋涂和键合工艺,可减少固化步骤和固化时间,加快工艺流程,且与微电子工艺相兼容,可以用此法廉价而又快速地大规模生产微纳米结构图案和器件。 | ||
搜索关键词: | 基于 实现 纳米 图案 转移 方法 | ||
【主权项】:
1、一种基于旋涂和键合实现微纳米图案转移的方法,其特征在于,首先加工母板及对母板表面进行处理,然后采用旋涂的方法在母板表面旋涂聚合物预聚体并固化,接着在固化的聚合物上键合基片并剥离母板,最后采用反应离子刻蚀除去凹处残留的聚合物便在基底上形成了聚合物的图案,或者将聚合物图案转移到基底上。
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