[发明专利]一种纳米相变存储器器件单元的制备方法

摘要

本发明涉及一种简单易行的纳电子相变存储器器件单元制备方法。本发明通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出构成器件的各层薄膜，采用纳米加工技术制备出小孔，然后在孔内填充电极材料或相变材料，最后把两个电极引出后即可制备出相变存储器的器件单元，器件单元中发生相变区域的尺寸在2－1000nm范围。只制备一个孔时可得到一个器件单元；制备阵列孔时可得到阵列器件单元；阵列器件单元与CMOS管集成后可得到相变存储器器件。本发明的相变存储器器件单元的制备方法只涉及薄膜制备工艺和纳米加工技术，器件结构简单，器件制备方法容易实施，可以很容易制备出纳米尺寸的相变存储器器件或器件单元，实现存储器由微电子向纳电子器件的转变。

主权项

1.纳米相变存储器器件单元的制备方法，其特征在于采用薄膜制备工艺和纳米加工技术制备出纳米尺寸的相变存储器器件单元，具体是可以采用下面两种方法中的任意一种方法制备这器件单元：第一种方法制备器件单元的工艺步骤是：(1)在衬底上首先制备绝缘层；(2)在绝缘层上制备下电极薄膜；(3)在下电极薄膜上制备相变材料；(4)在相变材料上制备绝热材料；(5)在绝热材料中用纳米加工技术制备小孔，孔的深度等于或大于绝热材料的厚度，孔的横截面尺寸为1-1000nm；(6)在小孔内填充上电极材料，以及在绝热材料上沉积上电极材料。第二种方法制备器件单元的工艺步骤是：(1)在衬底上首先制备绝缘层；(2)在绝缘层上制备下电极薄膜；(3)在下电极薄膜上制备绝热材料；(4)在绝热材料中用纳米加工技术制备小孔，孔的深度等于或大于绝热材料的厚度，孔的横向截面尺寸为1-1000nm；(5)在小孔内填充相变材料，并形成相变材料薄层；(6)在相变材料层上制备出上电极材料。