[发明专利]一种纳电子相变存储器的制备方法有效
| 申请号： | 200410053565.2 | 申请日： | 2004-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1588637A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;夏吉林;刘卫丽;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳电子器件的制备方法。特征在于：首先在衬底材料上沉积一层下电极材料W，然后依次沉积一层Al和一层SiO2。通过曝光、刻蚀，在SiO2上刻蚀出孔，使下层Al暴露出来，然后通过阳极氧化法在暴露出的部分形成多孔氧化铝，同时对每个孔进行进一步的加工，可以形成唯一的一个纳米尺度的氧化铝小孔，或形成孔径一致，分布均匀纳米孔阵列，或形成孔径分散而分布均匀纳米孔阵列。再用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积薄膜，实现纳米孔的W填充，通过纳米抛光技术实现纳米孔顶端的平坦化，然后沉积相变材料与电极材料，引线，封装，实现纳米存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 相变 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳电子相变存储器的制备方法，其特征在于制备的工艺步骤是：(a)在衬底材料上先沉积下电极材料，然后依次沉积一层Al和一层SiO2；(b)通过先掩膜曝光、刻蚀，在SiO2上刻蚀出孔，使下层Al暴露出来；(c)通过阳极氧化法在暴露出部分形成多孔Al2O3，使每个SiO2孔内只生成一个Al2O3小孔，或孔径分散而分布均匀的纳米孔阵列；(d)在Al2O3孔内沉积W电极，表面化学机械方法抛光，除去SiO2层；(e)刻蚀掉未被氧化的Al，沉积相变材料及上电极，引线封装制备成纳米级相变存储器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
