[发明专利]一种电容器的制造方法有效
| 申请号： | 200410053694.1 | 申请日： | 2004-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1734739A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李东;李修远;孙雪莉;金明伦;杨丽丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海隆天新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种电容器的制造工艺，采用该制造方法可以提高电容器电性能的稳定性、可靠性和提高制造过程的良率。本发明采用一层很薄的非掺杂多晶硅层，作为保护层，覆盖在掺杂多晶硅极板上，避免了多晶硅和二氧化硅进行接触窗蚀刻时出现不均匀深度的接触窗，从而使电容器性能十分可靠、稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器的制造方法，包含在集成电路芯片制造工艺中，其特征在于，形成电容器结构的步骤如下：步骤一、有效区域处理(Active Area Formation)；步骤二、栅极生成(掺杂多晶硅+硅化钨)，微影，蚀刻；步骤三、绝缘体氧化层沉积；步骤四、沉积掺杂多晶硅和非掺杂多晶硅以制作上极板和保护层；步骤五、上极板微影、蚀刻；步骤六、ILD处理和接触窗微影、蚀刻；步骤七、填入钨插脚和金属衬底处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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