[发明专利]0.8微米硅双极互补金属氧化物半导体集成电路制造工艺有效
| 申请号： | 200410053723.4 | 申请日： | 2004-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN1734748A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 乔琼华;邵凯;龚大卫 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进的0.8微米BICMOS集成电路制造工艺，在N阱中形成DP阱，具体包括如下的步骤：在P型衬底上使用离子注入和热推进工艺形成N阱和P阱；在N阱中形成DP阱，首先使用光刻胶定义DP阱区域，再使用离子注入形成DP阱；采用LOCOS工艺形成多个隔离区域并形成有源区，隔离区域与形成的阱的位置相符；制作栅氧化层和电容器元件；其中，高压器件和低压器件的栅氧化层在同一次氧化步骤中完成；制作CMOS器件和Bipolar器件；其中，在具有DP阱的N阱上形成隔离NMOS器件和Bipolar NPN器件；制作金属层间连线和钝化层。本发明能简化流程、成本降低。在制造具有良好性能的BiCMOS器件的同时使工艺流程也更加合理。 | ||
| 搜索关键词： | 0.8 微米 硅双极 互补 金属 氧化物 半导体 集成电路 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种改进的0.8微米BICMOS集成电路制造工艺，其特征在于，在N阱中形成DP阱，具体包括如下的步骤：在P型衬底上使用离子注入和热推进工艺形成N阱和P阱；在N阱中形成DP阱，首先使用光刻胶定义DP阱区域，再使用离子注入形成DP阱；采用LOCOS工艺形成多个隔离区域并形成有源区，所述隔离区域与形成的阱的位置相符；制作栅氧化层和电容器元件；其中，所述高压器件和低压器件的栅氧化层在同一次氧化步骤中完成；制作CMOS器件和Bipolar器件；其中，在所述具有DP阱的N阱上形成隔离NMOS器件和Bipolar NPN器件；制作金属层间连线和钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
