[发明专利]一种直拉硅片的内吸杂工艺有效
| 申请号： | 200410053864.6 | 申请日： | 2004-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1588628A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;杨德仁;田达晰;宫龙飞;李立本;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/324 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的直拉硅片内吸杂工艺，步骤如下：首先将热处理炉升温到600－800℃之间，利用氮气、氧气或氩气作为保护气，然后将硅单晶片缓缓放入热处理炉，再将热处理炉的温度以1－3℃/分的速度逐渐上升到1100－1200℃之间，并在该温度保温热处理2－16小时，最后，硅单晶片随热处理炉冷却至850℃温度以下，被缓缓取出热处理炉。本发明的直拉硅片内吸杂工艺与集成电路工艺相兼容，与通常的内吸杂工艺和MDZ工艺相比，它的热处理过程相对简单。同时形成的洁净区是真正的无缺陷区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 杂工 | ||
【主权项】：
1.一种直拉硅片的内吸杂工艺，其特征是步骤如下：首先将热处理炉升温到600-800℃之间，利用氮气、氧气或氩气作为保护气，然后将硅单晶片缓缓放入热处理炉，再将热处理炉的温度以1-3℃/分的速度逐渐上升到1100-1200℃之间，并在该温度保温热处理2-16小时，最后，硅单晶片随热处理炉冷却至850℃温度以下，被缓缓取出热处理炉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
