[发明专利]一种三维点阵纳米结构电极及其制备方法无效
| 申请号： | 200410054035.X | 申请日： | 2004-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1588027A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 孔继烈;刘宝红;张松 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;C25D9/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 姚静芳;王福新 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于基本电器元件领域，具体的说，本发明提供了一种三维点阵纳米结构电极及其制备方法。采用各种手段，包括物理、化学或电化学的方法制备与加工纳米功能材料是近来纳米制备技术的前沿领域。传统方法在电极表面制作电聚合高分子膜，一般使用一步法完成，该一步法可以是恒电流电解过程，也可以是恒电位电解过程。这样制备得到的电聚合高分子膜呈现的是网络状的平面展开的结构，不具有三维点阵立体结构的特征。基于多步恒电流电解技术，本发明提供了一种的三维点阵纳米高分子有序膜及其制备方法。该三维膜的比表面远大于传统方法得到的高分子膜。因此，本发明的电极可有效用于制备高通量的芯片，检测、鉴定待测物中目的分子的含量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 点阵 纳米 结构 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维点阵纳米结构电极，其特征在于，电极上覆盖有高分子膜，膜的总厚度为80-90nm；该高分子膜由三层组成，底层的膜呈岛状，中间层和上层的膜都是圆柱状结构的，其直径分别为20-35nm和15-25nm。
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