[发明专利]反应室性能的改良方法无效
| 申请号： | 200410054224.7 | 申请日： | 2004-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1743504A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 宋煜昕;徐昕;吕明政 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/08 | 分类号： | C23F1/08;H01L21/306;H01L21/465 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种反应室性能的改良方法，它是利用在反应室的调适模式(Seasoning Mode)的工艺配方(Recipe)的组成部分中的原先的气体中再加入新的气体，并将裸晶圆改良为具有感光材料的晶圆，在反应室壁上产生不容易松动落下的紧密高分子聚合物，可保持反应室内的工艺状态，进而达到改善微粒污染的问题，消除首片晶圆(First Wafer)效应对产品的影响，以及达到使刻蚀速率较为稳定的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 性能 改良 方法 | ||
【主权项】：
1.一种反应室性能的改良方法，它应用于半导体刻蚀工艺中，包括下列步骤：先将至少一个具有感光材料的晶圆置于一个反应室中；使四氟化碳、三氟甲烷、氧气气体充满该反应室中；以及在该反应室中再加入氟甲烷气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410054224.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：炎性肠病的治疗
- 下一篇：用于大袋的立式袋成型填充及密封填充设备
