[发明专利]改善源/漏极离子掺杂轮廓的方法

摘要

本发明提供了一种改善源极/漏极离子掺杂轮廓的方法，它利用对衬底层与位于栅极间隙壁的氧化物层进行湿法刻蚀，使其形成一个剩余衬底层与一个剩余氧化物层，再以栅极结构、氮化硅层、剩余衬底层与剩余氧化物层为掩膜进行浓度较高的源/漏极掺杂工艺，以获得一个具有较佳掺杂轮廓的源/漏极离子掺杂区，且该剩余的氧化物层将可以弥补已知的栅极间隙壁与半导体基底间的沟填死角，而使得后续工艺进行沟填时较为容易。

主权项

1.一种改善源/漏极离子掺杂轮廓的方法，其包括下列步骤：提供一个半导体基底，其内部形成有隔离区域；在该半导体基底上形成一个晶体管栅极结构，它包含一个栅氧化层及其上方的多晶硅层；以该栅极结构为掩膜，进行一次低浓度的离子注入，在该半导体衬底内形成轻掺杂源/漏极区域；依序在该栅极结构侧壁形成一个衬底层、一个栅极间隙壁，且该栅极间隙壁包含下层的氮化硅层及上层的氧化物层；利用湿法刻蚀移除部分衬底层与氧化物层，从而形成一个剩余衬底层与一个剩余氧化物层；以及以该栅极结构、氮化硅层、剩余衬底层与剩余氧化物层为掩膜，对该半导体基底进行一次高浓度离子注入，以形成重掺杂源/漏极区域。