[发明专利]导电结构的图案转移方法无效
| 申请号： | 200410054375.2 | 申请日： | 2004-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1746773A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 金平中 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种导电结构的图案转移方法(patterningmethod)，首先提供一个半导体衬底，在半导体衬底上形成一个导电层，在导电层上形成一个硬掩膜层(hard mask layer)，以及在硬掩膜层上形成一个光刻胶层。以各向同性刻蚀方式移除部分的光刻胶层以形成图案化的光刻胶层。以图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀硬掩膜层以形成图案化的硬掩膜层。以图案化的硬掩膜层为另一掩膜，移除部分导电层以形成图案化的导电层。其中由于图案化的光刻胶层仅为刻蚀硬掩膜层时所用，因此可使用厚度较薄的光刻胶层，提高了使用光刻胶层时的分辨率，进而减少后续形成图案化导电层的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 图案 转移 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种导电结构的图案转移方法，包含：提供一个半导体衬底；在该半导体衬底上形成一个导电层；在该导电层上形成一个硬掩膜层；在该硬掩膜层上形成一个光刻胶层；以各向同性刻蚀方式移除部分的该光刻胶层以形成图案化的该光刻胶层；以该图案化的光刻胶层为第一个掩膜，刻蚀该硬掩膜层以形成图案化的该硬掩膜层；及以该图案化的硬掩膜层为第二个掩膜，移除部分该导电层以形成图案化的该导电层。
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