[发明专利]增进浅槽隔离结构高度均匀性的方法

摘要

本发明提供了一种增进浅槽隔离结构高度均匀性的方法，它是在移除位于浅槽外的氧化物层时，在有源区域上的氧化物层上形成复数个阵列排列的氧化物柱或氧化物洞，以使得在对具有较大的有源区域面积与密度的半导体衬底进行平坦化工艺时，能够获得最佳的抛光速率平衡点，进而获得具有良好的高度均匀度的浅槽隔离结构。

主权项

1.一种增进浅槽隔离结构高度均匀性的方法，其步骤包括有：提供一个半导体衬底；在该半导体衬底上依序形成一个垫氧化层，以及一个氮化物层；在该半导体衬底上形成一个第一图案化光刻胶层，以该第一图案化光刻胶层为掩膜，对该垫氧化层、该氮化物层与该半导体衬底进行刻蚀，以定义出有源区域以形成复数个浅槽结构，然后移除该第一图案化光刻胶层；在该半导体衬底上沉积一个氧化物层，以填满该浅槽结构；在该半导体衬底上形成一个第二图案化光刻胶层，以该第二图案化光刻胶层为掩膜，对该氧化物层进行刻蚀，以在有源区域的氧化物层上形成复数个阵列排列的氧化物柱、氧化物洞，然后移除该第二图案化光刻胶层；以及利用化学机械抛光法对位于该半导体衬底上的该氧化物层进行平坦化工艺。