[发明专利]内连线金属层结构的测试方法无效
申请号: | 200410054378.6 | 申请日: | 2004-09-08 |
公开(公告)号: | CN1747144A | 公开(公告)日: | 2006-03-15 |
发明(设计)人: | 郭强;曾旭;李虹 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/82;G01L1/20;G01N27/04 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201203上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种内连线金属层结构的测试方法,它可以在常温下,将内连线金属层结构置于一个环境条件下,以此在内连线金属层结构中产生应力迁移现象,并对内连线金属层结构导入一个电源,该内连线金属层结构因电源导入而产生的焦耳效应使内连线金属层结构产生温度变化量及电阻值变化量,根据内连线金属层结构的电阻值变化,以得知内连线金属层结构应力迁移的变化。本发明不仅相比于现有技术可更快测得电阻值的变化量,使操作应力迁移测试作业时间缩短并可节省成本,更具有避免因热迁移效应使孔隙产生的功效,有效地提高了元件的寿命。 | ||
搜索关键词: | 连线 金属 结构 测试 方法 | ||
【主权项】:
1.一种内连线金属层结构的应力迁移测试方法,其包括下列步骤:提供一个内连线金属层结构;将该内连线金属层结构置于一个环境条件下,以此在该内连线金属层结构中产生一个应力迁移现象;提供一个电源导入该内连线金属层结构;计算出单位时间内将该电源导入该内连线金属层结构的热功率Q及通过该内连线金属层结构的电流I;利用该热功率Q与该电流I的关系得到一个初始电阻值R;该内连线金属层结构因该电源而温度变化,可得到一个温度变化量ΔT;以及利用该温度变化量ΔT得知该内连线金属层结构产生的一个新的电阻值R1,该新电阻值R1与该初始电阻值R并不相同,通过电阻值的变化,可以得知该应力迁移的变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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