[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200410054421.9 | 申请日： | 2001-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1577851A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/105;H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体装置和半导体装置的制造方法中，象素部分205的源极电线126是由低阻的材料(具有代表性的是铝，银，铜)而形成的。驱动电路的源极电线是在与象素部分的栅极电线162和象素电极163相同的形成过程中形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，它包括：一第一n沟道型TFT，设置在象素中；一第二n沟道型TFT，设置在驱动电路中；一第三n沟道型TFT，设置在上述驱动电路中，其特征在于每个上述第一n沟道型TFT，上述第二n沟道型TFT，和上述第三n沟道型TFT的栅电极具有由一第一导电层和一第二导电层组成的层状结构，作为下层的第一导电层具有第一宽度，作为上层的第二导电层具有一比第一宽度小的第二宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
