[发明专利]电容器的制备方法无效
| 申请号： | 200410054519.4 | 申请日： | 2004-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1577659A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | C·施尼特尔 | 申请（专利权）人： | H.C.施塔克股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/052 | 分类号： | H01G9/052 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹雪梅;徐雁漪 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制备基于低价氧化铌的具有五氧化铌绝缘层的电容器的方法，涉及适于生产电容器的粉末混合物，涉及由该粉末混合物生产的压制体，并且涉及具有特殊性能的电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备基于低价氧化铌的电容器阳极的方法，所述制备是通过压制低价氧化铌颗粒形成粉末预制件并烧结该粉末预制件形成多孔阳极体而实现的，其特征在于在压制前将该低价氧化铌粉末和作为压制和烧结助剂的阀用金属粉末混合。
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