[发明专利]制造低氧化铌的方法有效
| 申请号： | 200410054522.6 | 申请日： | 2004-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1576234A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | C·施尼特尔 | 申请（专利权）人： | H.C.施塔克股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G33/00 | 分类号： | C01G33/00;H01G9/042 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华;王景朝 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及生产近似组成为NbO的低氧化铌的方法，该低氧化铌特别适合于固体电解质电容器阳极的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氧化 方法 | ||
【主权项】：
1.生产NbOx的方法，其中0.7＜x＜1.3，优选0.9＜x＜1.15，特别优选1＜x＜1.05，该方法通过将NbOy与化学计量数的金属铌在氢的存在下进行反应，其中1.8＜y＜2.1，优选1.9＜y＜2，来生产所述的NbOx。
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