[发明专利]磁阻效应元件、磁存储单元和磁存储器装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410054544.2 | 申请日： | 2004-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1577614A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 上岛聪史;羽立等 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 徐谦;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种具有紧凑结构、并可进行有效利用了由写入电流形成的磁场的稳定动作，而且高精度形成的磁存储器装置。由于在磁轭4的至少一部分中采用镀膜，因而与由干成膜法来形成的场合相比，可得到足够的厚度及高尺寸精度。因此可有效地形成更稳定的回流磁场34，可确保高可靠性。而且可将相邻存储单元1之间的间隔配置得更窄，适于高集成化及高密度化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 存储 单元 磁存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，其特征在于：具有磁轭，其与沿着导线的延伸方向的一部分区域对应配置并包围上述导线周围的一部分或全部；层叠体，其包含磁化方向因外部磁场而变化的感磁层、与上述磁轭磁连接并在与层叠面垂直的方向电流流动，上述磁轭的至少一部分由电镀膜来组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410054544.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
