[发明专利]使用高帧频的具有帧相加和运动补偿的CMOS图像传感器无效
申请号: | 200410054655.3 | 申请日: | 2004-07-22 |
公开(公告)号: | CN1577877A | 公开(公告)日: | 2005-02-09 |
发明(设计)人: | 宗平真锅 | 申请(专利权)人: | 全视技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82;H04N5/335;H04N5/225 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种利用CMOS图像传感器形成复合图像的方法。该方法包括使用图像传感器拍摄多个帧,在每帧中确定一个参考点,并利用该参考点将这些帧对齐。最后,将这些帧组合成复合图像,例如将这些帧算术相加。 | ||
搜索关键词: | 使用 帧频 具有 相加 运动 补偿 cmos 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种使用CMOS图像传感器形成图像的方法,包括:使用所述图像传感器拍摄多个帧;在所述多个图像的每一个中确定一个参考点;利用所述参考点将所述多个帧对齐;并且将所述多个帧组合成所述图像。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的